特許

J-GLOBAL ID：200903050013140912

AlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 柴田 憲治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-334120
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164924
出願日： 1998年11月25日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】簡易且つ経済的に電流拡散層の膜厚を厚くし、効率良く赤色から黄色の発光をさせることができるAlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】n型GaAs基板1上に、n型GaAsバッファ層2、n型AlGaInP下部クラッド層3、アンドープAlGaInP活性層4、p型AlGaInP上部クラッド層5、第1のp型AlGaAs電流拡散層6を、MOVPE法により順次成長させ、更に、その上に第2のp型AlGaAs電流拡散層7及びp型GaAsコンタクト層8を、LPE法により順次成長させ、その第2のp型AlGaAs電流拡散層7の厚さを20μm以上の厚膜とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板上に形成された、第1導電型のGaAsバッファ層、第1導電型のAlGaInP下部クラッド層、アンドープAlGaInP活性層、第2導電型のAlGaInP上部クラッド層、第1の第2導電型のAlGaAs電流拡散層が順次気相エピタキシャル成長された層であり、更に、その上の第2の第2導電型のAlGaAs電流拡散層及び第2導電型のGaAsコンタクト層が順次液相エピタキシャル成長された層であり、その第2の第2導電型のAlGaAs電流拡散層の厚さが20μm以上であることを特徴とするAlGaInP系発光ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

Fターム (27件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F053DD03 ,  5F053DD05 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053PP04 ,  5F053RR05 ,  5F053RR11