電気光学装置および電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上柳雅誉 , 宮坂一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-153106
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324375
出願日： 2006年06月01日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】素子基板上に形成したセンサ用信号線を双方向ダイオード素子を介して共通配線に電気的に接続して静電気からの静電保護を行った場合に、双方向ダイオード素子を切り離さなくてもセンサ素子による検出を高い精度で行うことのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置の素子基板10において、センサ素子1hから信号出力を行うセンサ用信号線1jと共通配線VCOMとは、半導体素子と、この半導体素子のドレイン電極とゲート電極との間に介挿された容量素子とを備えた容量結合動作型ダイオード素子を逆向きに電気的に接続した容量結合動作型双方向ダイオード素子1dを介して電気的に接続され、容量結合動作型双方向ダイオード素子1dに対しては、半導体素子を非導通状態とするゲート電圧をゲート電極に供給するための制御用配線1nが形成されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

素子基板上に複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応して設けられた画素領域を有する電気光学装置において、前記素子基板上の前記画素領域が配置されている領域の端部には、センサ素子と、該センサ素子から信号出力を行うセンサ用信号線と、共通配線と、ソース電極、ドレイン電極、チャネル領域を備えた半導体層、および当該チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を有する半導体素子と、前記ソース電極および前記ドレイン電極のうちの一方と前記ゲート電極との間に介挿された容量素子と、を備えた2つの容量結合動作型ダイオード素子を互いに逆向きに電気的に接続した容量結合動作型双方向ダイオード素子と、が形成され、前記センサ用信号線は、前記容量結合動作型双方向ダイオード素子を介して前記共通配線に電気的に接続され、前記容量結合動作型双方向ダイオード素子に対しては、前記半導体素子を非導通状態とするゲート電圧を前記ゲート電極に供給するための制御用配線が形成されていることを特徴とする電気光学装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 , H01L 27/146

FI (3件)：

H01L29/78 623A , G02F1/1368 , H01L27/14 A

Fターム (46件)：

2H091FA48Y , 2H091FD04 , 2H091FD12 , 2H091LA11 , 2H091LA12 , 2H091LA30 , 2H092JA24 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB38 , 2H092NA25 , 2H092PA06 , 4M118AA08 , 4M118AB10 , 4M118BA05 , 4M118CA11 , 4M118CB14 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 5F110AA22 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE38 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (1件)

撮像用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-094762 出願人：キヤノン株式会社

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