特許

J-GLOBAL ID：200903050022319518

化合物半導体の微細構造形成方法

発明者： 若林 信一 ,  東郷 仁麿 ,  豊田 幸雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  光技術研究開発株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059935
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275908
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 低損傷で高密度、制御性にすぐれたAlxGa1ーxAs/GaAs系の微細構造の形成方法を提供する。【構成】 GaAs基板11上にGaAsバッファ層12、Al0.3Ga0.7As層13を連続的に結晶成長させる。次にシリコン酸化膜14を堆積し、レジストパターン15を形成する。シリコン酸化膜14をエッチングし、レジストパターン15を転写し、レジストを除去する。Al0.3Ga0.7As層13、GaAsバッファ層12をエッチングしシリコン酸化膜のパターンを転写し、底部がGaAs、側面部がAl0.3Ga0.7Asからなる微細溝16が形成される。この溝16にAl0.3Ga0.7As障壁層17、GaAs量子井戸層18、Al0.3Ga0.7As障壁層19を連続的に成長させる。シリコン酸化膜をエッチングし、その上部に堆積した結晶とともに取り除く。微細溝16の中にはGaAs量子細線20が形成される。

請求項（抜粋）：

Al<SB>x</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>x</SB>As/GaAs(0<x≦1)系化合物半導体のうち、底部がGaAs層、側面部にAl<SB>x</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>x</SB>As(0<x≦1)層を含む微細溝を持つ構造を形成する工程と、前記微細溝中へ結晶成長によりAl<SB>x</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>x</SB>As(0<x≦1)層とGaAs層の多層膜を形成し、前記GaAs層が前記多層膜のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>x</SB>As層と前記溝側面部のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>x</SB>As層に囲まれた量子細線構造となる工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体の微細構造形成方法。