特許
J-GLOBAL ID：200903050043621338
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155074
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347299
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】放熱特性が良い半導体装置のパッシベイション膜を提供する。【構成】半導体装置に於て、半導体表面にダイアモンド膜、酸化膜とダイアモンド膜、酸化膜と窒化膜とダイアモンド膜を形成する。【効果】従来のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の多層膜と比較して、絶縁耐圧が高く、界面準位密度も小さく、とりわけ放熱特性が良い半導体装置のパッシベイション膜を提供出来る。
請求項（抜粋）：
半導体表面にはダイアモンド膜が形成されて成る事を特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C30B 29/04
, H01L 21/20
