特許
J-GLOBAL ID：200903050054570050
入出力保護素子用MOSトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064455
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267597
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】入出力保護素子用のMOSトランジスタのドレイン拡散層がLDD構造を有するとき、LDD構造によるドレイン電流の低減,それによるドレイン拡散層の接合破壊を防ぐため、ゲート電極とドレイン拡散層との境界の長さを実効的に長くする。【構成】多結晶シリコン膜からなるゲート電極を2つに分岐し、ゲート電極の間に多結晶シリコン島,およびドレイン拡散層を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくともMOSトランジスタを含む半導体装置の入出力保護素子用MOSトランジスタにおいて、2つに分岐する前記入力保護素子用MOSトランジスタのゲート電極と、分岐した前記ゲート電極の間に形成された前記入力保護素子用MOSトランジスタのドレイン拡散層と、前記ゲート電極と分離した位置に前記ドレイン拡散層に囲まれ,前記ゲート電極と同一の材料により形成された島状の導電体膜と、を併せて有することを特徴とする入出力保護素子用MOSトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 27/088
, H01L 27/092
H01L 27/08 102 F
, H01L 27/08 321 H
