特許
J-GLOBAL ID：200903050056193955
電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 亘彦 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300415
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144210
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 PDPやFED、蛍光表示ディスプレイ、液晶表示装置等のディスプレイ、あるいは多層プリント配線板等において、ガラス基板上に下地層と電極層とを同時に形成でき、これにより、PDP作製時間を短縮でき、しかも歩留りを向上させることを可能とする電極形成方法の提供にある。【解決手段】 本発明の電極形成方法は、少なくともガラスフリットからなる無機成分及び熱可塑性樹脂からなる下地形成層14を設けたガラス基板11における下地形成層14上に、少なくともガラスフリットからなる無機成分、導電性粉末、感光性樹脂とからなる電極形成層12を塗布形成する第1工程、電極形成層側から所定の電極パターンマスクMを介して露光する第2工程、電極形成層を現像して電極パターン12を形成する第3工程、全体を焼成して下地形成層と電極形成層を同時に焼結する第4工程からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくともガラスフリットからなる無機成分及び熱可塑性樹脂からなる下地形成層を設けたガラス基板における下地形成層上に、少なくともガラスフリットからなる無機成分、導電性粉末、感光性樹脂とからなる電極形成層を塗布形成する第1工程、電極形成層側から所定の電極パターンマスクを介して露光する第2工程、電極形成層を現像して電極パターンを形成する第3工程、全体を焼成して下地形成層と電極形成層を同時に焼結する第4工程からなることを特徴とする電極形成方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01J 9/02 F
, H01J 9/02 B
, H01J 9/02 H
, G02F 1/1343
