特許
J-GLOBAL ID：200903050059814560
半導体単結晶薄膜基板光弁装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
林 敬之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183286
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042363
出願日： 1990年09月25日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 画素密度の高くラッチアップを防止する光弁装置の提供。【解決手段】 シリコン単結晶薄膜層2と石英ガラス3からなる複合基板と、複合基板表面の画素電極4と、画素電極4を駆動するシリコン単結晶薄膜層2中の集積駆動回路と、集積駆動回路を入遮光から遮蔽する遮光手段と、複合基板に対向配置された対向基板11と、複合基板と対向基板11間の液晶層14を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶薄膜層と絶縁性担体層とを有する複合基板と、複合基板表面に形成され画素を規定する画素電極群と、半導体単結晶薄膜層に集積的に形成され画索電極群を駆動する為の集積駆動回路と、集積駆動回路を入射光から遮蔽する為の遮光手段と、所定の間隙を介して複合基板に対向配置された対向基板と、該間隙に配置され画索毎に入射光の光学変調を行なう為の電気光学物質層とからなる光弁装置。
IPC (6件)：
G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 349
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 349 C
, H01L 27/12 B
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 619 B
, H01L 29/78 627 D
