特許
J-GLOBAL ID：200903050059849762
シリコン単結晶の製造方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-081837
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070283
出願日： 1991年03月20日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】 酸化膜耐圧の優れたシリコン単結晶を高収率で安定に製造しかつ当該結晶の生産性を向上する。【構成】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するに際し、成長するシリコン単結晶の結晶温度1150°C以上の温度領域がシリコン溶融液上方に280mm以上となるように引上条件を設定してシリコン単結晶を引き上げるようにした。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するに際し、成長するシリコン単結晶の結晶温度1150°C以上の温度領域がシリコン溶融液上方に280mm以上となるように引上条件を設定してシリコン単結晶を引き上げるようにしたことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 15/14
, C30B 29/06 502
