特許

J-GLOBAL ID：200903050063111409

強誘電体キャパシタ、配線、半導体装置及びこれらの製造方法

発明者： 福田 幸夫 ,  青木 克裕 ,  沼田 乾
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054140
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223779
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 SiO2 絶縁層5の表面に対する密着性を良好にすると共に、キャパシタ下部電極12の抵抗増加が実質的に生じない強誘電体キャパシタを提供すること。【解決手段】 SiO2 絶縁層5上に、下層のTi薄膜10と上層のPt薄膜11とからなる下部電極12、PZT膜13及びPtの上部電極14が順次積層されて形成されたキャパシタCAPを有するメモリセルM-CELにおいて、Ti薄膜10の厚さは 0.5nm、Pt薄膜11の厚さは 100nmとしている。

請求項（抜粋）：

下部電極と、この下部電極上の強誘電体膜と、上部電極とを具備し、絶縁層上に設けられた強誘電体キャパシタであって、前記下部電極が前記強誘電体膜側の上層と前記絶縁層側の下層とを有し、この下層が前記絶縁層を還元する材料を含みかつ 0.5〜1.0nm の厚みを有している強誘電体キャパシタ。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371