特許
J-GLOBAL ID:200903050066732285
近接場光発生装置および発生方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
田中 清
, 村山 みどり
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-175803
公開番号(公開出願番号):特開2004-020381
出願日: 2002年06月17日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】近接場光を効率よく発生させる近接場光発生装置および発生方法を提供する。【解決手段】近接場光発生装置は、薄膜または細線形状の金属21と、金属21の両側に配設された透明誘電体22と、レーザ光20を放射する半導体レーザ等のレーザ装置23と、レーザ光20を透明誘電体22の両側から照射するためのビームスプリタおよび反射鏡を有する光学系24とを備える。レーザ光20が両側から透明誘電体22に照射されることにより、金属21の両側に表面プラズモンが生成される。金属21が十分に薄いまたは細いとき、双方の表面に存在する表面プラズモン25が互いに電場を通じて相互作用を行い、プラズモンまたはFanoモード26の伝播が生じ近接場光27が発生する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
薄膜または細線形状の金属と、前記金属の両側に配置された誘電体と、誘電体を介して前記金属の両側に照射されるレーザ光により金属と誘電体の界面に表面プラズモンを生成する表面プラズモン生成部と、表面プラズモンを前記金属に沿って伝播することにより近接場光を発生する伝播部とを備えたことを特徴とする近接場光発生装置。
IPC (5件):
G01N13/14
, G01N13/10
, G01N21/27
, G11B7/135
, G12B21/06
FI (6件):
G01N13/14 A
, G01N13/14 B
, G01N13/10 G
, G01N21/27 C
, G11B7/135 A
, G12B1/00 601C
Fターム (18件):
2G059AA05
, 2G059EE02
, 2G059FF03
, 2G059GG01
, 2G059JJ11
, 2G059JJ12
, 2G059JJ13
, 2G059JJ22
, 5D119AA11
, 5D119AA22
, 5D119AA43
, 5D119BA01
, 5D119EC29
, 5D119FA05
, 5D119JA21
, 5D119JA34
, 5D119JA57
, 5D119NA05
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