特許

J-GLOBAL ID：200903050068595269

レーザ・アブレーションを用いた薄膜形成法およびレーザ・アブレーション装置

発明者： 西川 幸男 ,  吉田 善一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034876
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225929
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 広い面積において膜厚と組成が均一な薄膜を形成できるレーザ・アブレーションを用いた薄膜形成法を提供する。【構成】 レーザ発振器1から出射したレーザ光をガルバノ・ミラー3,5によって反射させ、さらに平面内で直交する2方向に移動可能な移動機構上に設けた集光レンズ7に誘導し、真空槽11内で移動機構9,10の動作範囲と平行になるように設置した円板状ターゲット12に照射することで、基板上に大面積に膜厚が均一で組成ずれの小さい薄膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

レーザ発振器から出射したレーザ光を反射鏡によって平面内で直交する2方向に移動可能な移動機構上に設けた集光レンズに誘導し、さらに真空槽内で前記移動機構の動作範囲に平行になるように設置した平板状ターゲットに照射し、前記平板状ターゲットに対して対向した基板上に薄膜を形成することを特徴とするレーザ・アブレーションを用いた薄膜形成法。