特許
J-GLOBAL ID：200903050069311167
半導体シリコンウエーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102112
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 デバイスプロセスにおいて少なくとも信頼性を要求される酸化膜形成工程まで、パーティクルの付着を防止して酸化膜の絶縁破壊特性の改善効果を持続させることができるシリコンウェーハの製造方法の提供。【構成】 シリコンウェーハの製造に際して、水素含有雰囲気中で温度950〜1300°C、時間5分以上の熱処理をし、その後鏡面加工で表面品質性状を整えることにより、デバイスにおける酸化膜の絶縁破壊特性を改善したウェーハを提供するもので、この酸化膜耐圧特性の改善効果を所要のプロセスまで維持させるため、当該高温熱処理前後に行う鏡面加工の研摩代を含めた改質深さを設定し、改質深さに応じて熱処理温度、時間を適宜選定する。
請求項（抜粋）：
半導体シリコンウェーハを水素含有雰囲気中で温度950〜1300°C、時間5分以上加熱する熱処理を、鏡面加工工程の前工程または後工程として施すことを特徴とする半導体シリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/316
