光導波路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136352
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347657
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】大口径Si基板上に光導波路形成に必要な厚さの石英系材料が堆積でき、またあらかじめ半導体レーザ用の電極や電気配線などをSi基板に形成しておくことができるような低温での石英系材料の堆積を可能にする光導波路の製造方法を提供する。【構成】常圧CVD法により石英系光導波路材料を堆積する方法において、チャンバ2内でテトラエトキシシラン、テトラメチルオルソシリケート、トリエチルボレート、トリメチルホスファイト、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリメチルボレート、テトラメトキシゲルマニウムなどの有機材料ソースを用い、有機材料ソースをオゾンにより分解し、石英系光導波路材料を基板1上に堆積し、光導波路のコア及びクラッドをなす石英系光導波路材料に3mol%以上の燐(P)をドーピングしている。

請求項（抜粋）：

石英系材料よりなる光導波路の製造方法において、常圧CVD法により石英系光導波路材料を堆積することを特徴とする光導波路の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特表昭63-500272
特開平3-220506
特開昭63-303305

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