特許
J-GLOBAL ID：200903050073551474
陽極化成装置、陽極化成システム、基板の処理装置及び処理方法、並びに基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082352
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277478
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】陽極化成反応によって生じるガスによる影響を低減する。【解決手段】処理対象のシリコン基板101を水平に保持し、シリコン基板101の上方にマイナス電極129を配置すると共にシリコン基板101の裏面にプラス電極114を接触させる。マイナス電極129とシリコン基板101との間にはHF溶液132を満たす。マイナス電極129には、陽極化成反応によって生じるガスが、その下部に溜まることを防止するために、多数のガス抜き用の穴130が設けられている。
請求項（抜粋）：
基板に対して陽極化成処理を施す陽極化成装置であって、処理対象の基板を実質的に水平に保持する保持部と、該基板の上方に該基板に対向させて配置されるマイナス電極と、該基板の下方に配置されるプラス電極と、該基板と前記マイナス電極との間に電解質溶液を満たすための陽極化成槽と、を備え、前記マイナス電極は、その下部にガスが溜まることを防止する機能を有することを特徴とする陽極化成装置。
IPC (5件)：
H01L 21/304 646
, H01L 21/304 648
, C25D 11/32
, C25F 3/12
, H01L 21/02
H01L 21/304 646
, H01L 21/304 648 A
, C25D 11/32
, C25F 3/12
, H01L 21/02 B
