特許

J-GLOBAL ID：200903050074848993

固体撮像装置

発明者： 冨留宮 正之 ,  中柴 康隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006239
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217396
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】CMOS製造プロセスと互換性のある固体撮像装置では、蓄積された電子の数に応じた光電変換部の電位変動を出力するが、光電変換部の寄生容量をC、出力電圧をVとすると、V=Q/Cとなり、感度を上げるために単純に光電変換部の面積を大きくしても比例して寄生容量Cが大きくなり、期待したほどに信号電荷による電位変動Vを大きくすることができないという欠点があった。【解決手段】光電変換部を、第1領域106、第1領域に隣接して形成された第2領域107に分割し、第1領域106及び第2領域107間のP型ウェル層をチャネル領域とする定電位設定用MOSFET209を設け、制御用MOSFET201のチャネル領域を、第2領域と従来の制御用MOSFETのドレイン105とに挟まれたP型ウェル層とすれば、入射光量に対して2段階の入射光量-出力電圧特性を得ることができ、低照度時の感度向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体領域に逆導電型の光電変換部と、前記半導体領域に形成され前記光電変換部と対向して形成された逆導電型のドレイン領域と、前記光電変換部と前記ドレイン領域の間に形成される逆導電型の領域を制御用チャネル領域とする制御用MOSFETと、前記光電変換部で発生する電荷による前記光電変換部の電位変化をソースフォロア増幅回路を通して出力する固体撮像装置であって、前記光電変換部は第1光電変換部及び第2光電変換部を有し、前記第2光電変換部と前記ドレイン領域との間に前記制御用チャネル領域が位置し、前記第1光電変換部と前記第2光電変換部との間には前記第1光電変換部と前記第2光電変換部との間を定電位設定用チャネル領域とする定電位設定用MOSFETが形成されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A

Fターム (21件)：

4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA22 ,  4M118CA24 ,  4M118CA25 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CX41 ,  5C024GX03 ,  5C024GY35 ,  5C024GZ01 ,  5C024JX21