特許

J-GLOBAL ID：200903050074937244

超小型電子半導体構造部材の製造法

発明者： エッケハルト ニーマン ,  ディーター パンクニン ,  ヴォルフガング スコルーパ ,  ハンス ヴィルト
出願人/特許権者： ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-533893
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505520
出願日： 1998年12月19日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】本発明は、殊に炭化珪素からの微小電子半導体構造部材の製造法に関するものであるが、この場合、反動対中のドープされた領域は、イオン注入によって製造され、半導体中の照射損傷は、引き続き、電位線を用いる照射によって回復させられ、その際、半導体は、本質的に全面的に光線のパルス状の作用によって照射され、かつ少なくともドープされた領域において加熱される。

請求項（抜粋）：

半導体中でドープされた領域を、イオン注入によって製造し、引き続き半導体中の照射損傷を電磁線を用いる照射によって回復させる超小型電子半導体構造部材、殊に炭化珪素の製造法において、該半導体に、その表面に、本質的に全面的に光学的放射の作用によって照射し、少なくともドープされた領域では加熱させるが、この場合、光線が当てられた表面の全ての場所が同時に照射されることを特徴とする、超小型電子半導体構造部材の製造法。