特許
J-GLOBAL ID：200903050079189939
液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213345
公開番号（公開出願番号）：特開平11-052344
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率が3以下と小さく、被塗布面との密着性、機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性に優れるとともに、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成でき、かつ被塗布面の凹凸を高度に平坦化し得るようなシリカ系被膜が形成された液晶表示装置を提供すること。【解決手段】 (i)シリカ微粒子と、(ii)XnSi(OR)4-nで表されるアルコキシシランまたはXnSiX'4-nで表されるハロゲン化シランの加水分解物との反応物を含む低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成された比誘電率が3以下のシリカ系被膜を有する液晶表示装置。(Xは水素原子,フッ素原子,炭素数1〜8のアルキル基,アリール基またはビニル基、Rは水素原子,炭素数1〜8のアルキル基,アリール基またはビニル基、X'は塩素原子または臭素原子、nは0〜3の整数を示す。)
請求項（抜粋）：
(i)シリカ微粒子と、(ii)下記一般式[1]で表されるアルコキシシランまたは下記一般式[2]で表されるハロゲン化シランの加水分解物との反応物を含む低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成された比誘電率が3以下のシリカ系被膜を有することを特徴とする液晶表示装置。XnSi(OR)4-n ...[1]XnSiX'4-n ...[2](式中、Xは水素原子,フッ素原子,炭素数1〜8のアルキル基,アリール基またはビニル基を示し、Rは水素原子,炭素数1〜8のアルキル基,アリール基またはビニル基を示し、X'は塩素原子または臭素原子を示し、nは0〜3の整数である。)
IPC (2件)：
G02F 1/1333 505
, G09F 9/35 303
G02F 1/1333 505
, G09F 9/35 303
