特許
J-GLOBAL ID：200903050085271019
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013393
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206513
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 ZnO基板またはSiC基板上にバッファ層を介してIn<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>l-y</SB>)<SB>x</SB>N層(但し、0<x≦1、0<y≦1)を成長することにより、格子歪による欠陥を減少させて発光率を向上させ、かつ駆動電圧の低いLEDを得る。【構成】 ZnO基板またはSiC基板1上に成長されたバッファ層2と、このバッファ層2上に成長されたIn<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>l-y</SB>)<SB>x</SB>N層(但し、0<x≦1、0<y≦1)3、4と、を有する半導体発光素子。バッファ層2は、(a)AlN層、(b)In<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>1-y</SB>)<SB>x</SB>N層とAlN層とが交互に成長されてなる多層体、または(c)AlN層と前記多層体との積層体である。
請求項（抜粋）：
ZnO基板またはSiC基板上に成長されたバッファ層と、該バッファ層上に成長されたIn<SB>1-x</SB>(Ga<SB>y</SB>Al<SB>l-y</SB>)<SB>x</SB>N層(但し、0<x≦1、0<y≦1)と、を有する半導体発光素子。
引用特許：
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