特許

J-GLOBAL ID：200903050087527371

電子素子及びその製造方法

発明者： 福井 洋文 ,  宮澤 聡 ,  笠間 泰彦 ,  大見 忠弘 ,  前野 又五郎 ,  菊山 裕久 ,  高野 順 ,  宮下 雅之 ,  薮根 辰弘
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック ,  橋本化成株式会社 ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151376
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018061
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高特性でバラツキが小さく且つ経時的安定性の優れた電子素子、併せて、かかる電子素子を高い歩留まりで製造できる電子素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体層、オーミックコンタクト層及び導電体層からなる多層膜の前記オーミックコンタクト層及び前記導電体層の一部に開口部が形成され、該開口部を含む所定の領域にパッシベーション膜が形成された電子素子において、前記導電体層の開口部は、前記オーミックコンタクト層の開口部の幅以上の幅を有することを特徴とする。また、前記開口部のエッチング液として、前記導電体層のエッチング速度が前記オーミックコンタクト層のエッチング速度以上となるエッチング液を用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体層、オーミックコンタクト層及び導電体層からなる多層膜の前記オーミックコンタクト層及び前記導電体層の一部に開口部が形成され、該開口部を含む所定の領域にパッシベーション膜が形成された電子素子において、前記導電体層の開口部は、前記オーミックコンタクト層の開口部の幅以上の幅を有することを特徴とする電子素子。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-245226