特許

J-GLOBAL ID：200903050091089303

TiN薄膜形成方法

発明者： 門倉 好之 ,  村田 雄三 ,  広石 城司 ,  児玉 哲郎
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-306605
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、反応性スパッタによる薄膜の比抵抗分布と膜厚分布とを均一にすることの可能なTiN薄膜形成方法を提供することである。【構成】この発明のTiN薄膜形成方法は、真空槽内に基板と対向して配設したターゲットの背後に、環状の内側コイルとこの周囲に配置された環状の外側コイルとで構成された電磁石を設け、環状のプラズマ領域を移動させながら、ターゲットをスパッタして、基板にTiN薄膜を形成するとき、最初、環状の内側コイルに流す電流と、環状の外側コイルに流す電流との比率を求め、移動する環状のプラズマの直径を決定し、次に、前記比率を変えないで、前記各コイルに流す電流値を下げ、磁界強度を弱めて、比抵抗が低くなる条件と、投入するスパッタ電力を変化させ、比抵抗が低くなる条件とを求め、その次に、これらの条件から膜厚分布を求め、最後に、その膜厚分布が最も平坦になる比率を算出してから、基板上に薄膜を形成することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

真空槽内に基板と対向して配設したターゲットの背後に、環状の内側コイルとその周囲に配置された環状の外側コイルとで構成された電磁石を設け、環状のプラズマ領域を移動させながら、ターゲットをスパッタして、基板にTiN薄膜を形成するとき、最初、環状の内側コイルに流す電流と、環状の外側コイルに流す電流との比率を求め、移動する環状のプラズマの直径を決定し、次に、前記比率を変えないで、前記各コイルに流す電流値を下げ、磁界強度を弱めて、比抵抗が低くなる条件と、投入するスパッタ電力を変化させ、比抵抗が低くなる条件とを求め、その次に、これらの条件から膜厚分布を求め、最後に、その膜厚分布が最も平坦になる比率を算出してから、基板上に薄膜を形成することを特徴とするTiN薄膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/06