特許

J-GLOBAL ID：200903050091588458

半導体装置

発明者： 澤野 理一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200692
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031375
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 圧接型半導体装置が、半導体チップの温度上昇率を抑えることができ、かつコンパクトで製造コストが安いこと。【解決手段】 絶縁外筒と一対の共通電極板とで容器を成す平型パッケージに、半導体チップの一方の面と接する個別のコンタクト端子体と、半導体チップの他方の面に接する個別の支持板と、前記半導体チップ、前記コンタクト端子体および前記支持板の側面を囲む位置決めガイドを有する複数の半導体ユニットが位置決めガイドによって位置決めされ、互いに隔離して並設配置され、一対の共通電極板のうち一方の共通電極板がコンタクト端子体と加圧接触し、他方の共通電極板が支持板と加圧接触して、コンタクト端子体および支持板が導電機能および放熱機能を兼ね備えている半導体装置において、下記式s<w≦s+t(式中、wは支持板の幅、tは支持板の厚さ、sは半導体チップの幅)を満たす。

請求項（抜粋）：

絶縁外筒と、該絶縁外筒の上下端開口部を覆う一対の共通電極板とで容器を成す平型パッケージに、それぞれ、第1主面に第1主電極および制御電極とを有し第2主面に第2主電極を有する半導体チップと、該半導体チップの第1主面と接する個別のコンタクト端子体と、前記第2主面に接する個別の支持板と、前記半導体チップ、前記コンタクト端子体および前記支持板の側面を囲む位置決めガイドとを有する複数の半導体ユニットが前記位置決めガイドによって位置決めされ、かつ互いに隔離して並設配置され、前記一対の共通電極板のうち一方の共通電極板がコンタクト端子体と加圧接触し、他方の共通電極板が支持板と加圧接触して、コンタクト端子体および支持板が導電機能および放熱機能を兼ね備えている半導体装置において、下記式【数1】s<w≦s+t(式中、wは支持板の幅、tは支持板の厚さ、sは半導体チップの幅)を満たすことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/52

FI (2件)：

H01L 25/04 Z ,  H01L 21/52 J

Fターム (5件)：

5F047JA05 ,  5F047JA15 ,  5F047JB01 ,  5F047JB02 ,  5F047JB15