特許
J-GLOBAL ID:200903050095730836
半導体圧力センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-123442
公開番号(公開出願番号):特開平11-316166
出願日: 1998年05月06日
公開日(公表日): 1999年11月16日
要約:
【要約】【課題】半導体圧力センサにおける被測定媒体と直接接触する低融点ガラス部の耐腐食性を向上させて、ハーメチックシールの信頼性を高める。【解決手段】被測定媒体の圧力を検出する感圧素子100は、シリコン基板1に形成されたダイアフラム5と該ダイアフラムの変位を電気信号に変換する歪ゲージ6a,6bを有する。この感圧素子100を支持する台座4がセンサハウジング内の台座受部12に低融点ガラス16を介して接合され、この低融点ガラス16のうち被測定媒体に曝される箇所が被測定媒体に対して耐腐食性を有するコーティング材(保護膜)21により覆われている。
請求項(抜粋):
被測定媒体の圧力を検出する感圧素子とこれを固定する台座受部を有する半導体圧力センサにおいて、センサ構成部品の接合部のうち被測定媒体に曝される前記感圧素子と前記台座受部の接合部が被測定媒体に対して耐腐食性を有するコーティング材により覆われていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件):
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
FI (2件):
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
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