特許

J-GLOBAL ID：200903050098421478

光学素子

発明者： 桑野 泰彦 ,  斎藤 誠一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-205571
公開番号（公開出願番号）：特開平7-041395
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月10日
要約：

【要約】【目的】 希土バナデイトを用いた高性能な光学素子を実現する。【構成】 希土バナデイト(化学式:RVO4,式中、Rは希土類元素を示す。)単結晶あるいは不純物を含む希土バナデイト単結晶を素材とする光学素子を作製するにあたり、a軸方向に育成された単結晶を素材として加工する。

請求項（抜粋）：

希土バナデイト(化学式:RVO4,式中、Rは希土類元素を示す。)単結晶および不純物を添加した希土バナデイト単結晶を素材とする光学素子であって、a軸方向に育成された希土バナデイト単結晶または不純物添加希土バナデイト単結晶を加工して作製されたことを特徴とする希土バナデイト光学素子。

IPC (5件)：

C30B 29/30 ,  C30B 15/04 ,  C30B 15/36 ,  G02B 5/30 ,  G02B 27/28