特許

J-GLOBAL ID：200903050098788312

リチウム2次電池用アノード薄膜及びその製造方法

発明者： 朴 永 信 ,  ▲ご▼ 柱 列 ,  白 弘 九 ,  李 ▲せい▼ 滿
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-239309
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115294
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 集電体及びその上部に形成されたアノード活物質層を具備しているリチウム2次電池用アノード薄膜を提供する。【解決手段】 アノード活物質層は、リチウムと反応せずにシリコンと反応する金属よりなる基体にシリコンが分散したシリコン-金属(Si-M)層及び銀(Ag)層が積層された多層薄膜であることを特徴とする。よって、充放電中に起こるシリコンの体積膨脹及び収縮を抑えてサイクル特性を大幅に向上できる。従って、この薄膜アノードを採用すれば、電極と電解質との間の界面の化学的な安定性及び機械的な安定性が大幅に改善されて寿命特性が向上したリチウム2次電池を製造できる。

請求項（抜粋）：

集電体及びその上部に形成されたアノード活物質層を具備しているリチウム2次電池用アノード薄膜において、前記アノード活物質層が、リチウムと反応せずにシリコンと反応する金属よりなる基体にシリコンが分散したシリコン-金属層及び銀層が積層された多層薄膜であることを特徴とするリチウム2次電池用アノード薄膜。

IPC (5件)：

H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/66 ,  H01M 10/40

FI (5件)：

H01M 4/02 D ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/38 Z ,  H01M 4/66 A ,  H01M 10/40 Z

Fターム (35件)：

5H017AA03 ,  5H017AS02 ,  5H017AS10 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017DD05 ,  5H017EE01 ,  5H017EE04 ,  5H017HH03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ17 ,  5H029EJ01 ,  5H029HJ01 ,  5H029HJ04 ,  5H050AA07 ,  5H050BA16 ,  5H050CA08 ,  5H050CB11 ,  5H050DA03 ,  5H050DA04 ,  5H050DA06 ,  5H050FA02 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050GA24 ,  5H050HA01 ,  5H050HA04