特許

J-GLOBAL ID：200903050103578909

半導体デバイス表面の平坦化研磨方法

発明者： 吉田 明利 ,  田中 弘明 ,  池田 健一 ,  杉山 美寿男
出願人/特許権者： スピードファム株式会社
代理人 (1件)： 田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141444
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331967
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【目的】鏡面仕上げを施したシリコンウェーハの表面に回路パターンを形成し、シリコンの酸化膜等で被覆した半導体デバイス表面の平坦化(プラナリゼーション)を行なうための研磨方法を提供する。【構成】回転可能な定盤の表面に、小部分に分割されたセラミックスあるいは樹脂からなるポリッシャーの頂部平坦部にて同一研磨作用面を形成し、該研磨作用面に半導体デバイスを圧接し、砥粒微粒子を含む水系スラリーを供給しつつ前記定盤および半導体デバイスの少なくとも一方を回転して加工を行なうことを特徴とする半導体デバイス表面の平坦化研磨方法である。同一研磨作用面の面積は、定盤の有効作用面積の30〜90%である。

請求項（抜粋）：

回転可能な定盤の表面に、小部分に分割されたセラミックスあるいは樹脂からなるポリッシャーの頂部平坦部にて同一研磨作用面を形成し、該研磨作用面に半導体デバイスを圧接し、砥粒微粒子を含む水系スラリーあるいは水系ゾルを供給しつつ前記定盤および半導体デバイスの少なくとも一方を回転して加工を行なうことを特徴とする半導体デバイス表面の平坦化研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/04 A

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17