異方性エッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大菅義之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256125
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075964
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】メタルマスクのエッチング残渣の再付着による吐出ノズルの形状不良や電極端子部分の電気接続不良が発生しない異方性エッチング方法を提供する。【解決手段】チップ基板51上の発熱部52、共通電極53、個別配線電極54、インク供給溝55、インク供給孔56、隔壁57等の最上層にオリフィス板58を積層し、この上にメタルマスク膜63をスパッタ成膜しパターン63-1を形成する。更にその上に例えばオリフィス板58とのエッチング選択比が1対1であるような非金属膜の厚膜レジスト膜64をオリフィス板58と同じ厚さに成膜しパターン64-1を形成する。この後パターン64-1及び63-1に従ってヘリコン波ドライエッチングを行って吐出ノズル62を穿設する。エッチングのほぼ全期間中に亙り厚膜レジスト膜64がエッチングされて徐々に消失し、最終段階でメタルマスク膜63が極めて僅かな厚さdだけエッチングされる。

請求項（抜粋）：

所定の材質の被加工材に異方性エッチングにより所定の開口パターンを穿設するエッチング方法であって、前記被加工材に所定の材質の非金属レジスト膜を所定の厚さに積層する工程と、前記非金属レジスト膜に前記開口パターンに対応したマスクパターンを形成する工程と、前記非金属レジスト膜を介して前記被加工材に異方性エッチングを実施し、前記開口パターンを穿設する工程とを有することを特徴とする異方性エッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , B41J 2/05 , B41J 2/135

FI (3件)：

H01L 21/302 J , B41J 3/04 103 B , B41J 3/04 103 N

Fターム (26件)：

2C057AF43 , 2C057AF67 , 2C057AF72 , 2C057AF93 , 2C057AG14 , 2C057AP02 , 2C057AP12 , 2C057AP13 , 2C057AP32 , 2C057AP34 , 2C057AP52 , 2C057AP54 , 2C057AP60 , 2C057BA04 , 2C057BA13 , 5F004AA04 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB25 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB25 , 5F004DB26 , 5F004EA05 , 5F004EA10 , 5F004EA28

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