特許

J-GLOBAL ID：200903050114906347

半導体製造装置用セラミックス

発明者： 田島 健一 ,  高坂 祥二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266524
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133840
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【構成】高純度の窒化ケイ素粉末およびSiO2 粉末とを所定比率で混合し、これを成形焼成して、実質的に酸窒化ケイ素相のみ、あるいは実質的に窒化ケイ素(Si3 N4 )相と酸窒化ケイ素(Si2 N2 O)相からなり、不純物としての鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)がそれぞれ5ppm以下、遷移金属が総量で100ppm以下、且つ全酸素量が3重量%以上のセラミックスを得、これをフォーカスレンズ、サセプタ、ウエハーボートなどの半導体製造装置用セラミックスとして用いる。【効果】従来の高純度窒化ケイ素焼結体に比較して室温および高温において高い抗折強度を維持しながら靱性が飛躍的に優れるものである。しかも、高純度化されることにより半導体製造用のセラミックスとしてその信頼性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

実質的に酸窒化ケイ素相のみ、あるいは実質的に窒化ケイ素(Si3 N4 )相と酸窒化ケイ素(Si2 N2 O)相からなるセラミックスであって、不純物としての鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)がそれぞれ5ppm以下、Fe以外の遷移金属が総量で100ppm以下、且つセラミックス中の全酸素量が3重量%以上であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックス。

IPC (4件)：

C04B 35/58 301 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-075331
  
• 複合セラミツクスおよびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-284507   出願人：日本碍子株式会社
• 特開平2-243568
  
• 特開平4-075331
  
• 特開平2-243568