特許
J-GLOBAL ID：200903050123425610
セラミック電子回路基板、その焼成方法および焼成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153301
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004073
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】表出するスルーホールのセラミック基板部分に微少なクラックがなく、かつ寸法精度が非常に高いセラミック電子回路基板を実現すること。【解決手段】圧力を枠状構造物を通じて基板の外辺部から任意の距離だけ内部に入った部分の一部にのみ加えることによって、基板のスルーホール表出部を加圧することなく、焼結による収縮を抑制することによって、非常に高い寸法精度と高信頼性をともに達成する。
請求項（抜粋）：
セラミック絶縁層、導体層および有機バインダとからなる積層体基板に圧力を加え、被加圧面の焼成収縮を抑制して焼成し、寸法精度を向上させたセラミック電子回路基板において、前記基板の厚さが基板内で一様でないことを特徴とするセラミック電子回路基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 Y
, C04B 35/64 N
