特許

J-GLOBAL ID：200903050127189881

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193004
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013628
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 いわゆるMNOSもしくはMONOS型半導体装置において、集積度を高め、かつ、作製歩留りの向上を目的とする。【構成】 半導体基板上に、凸状の部分を設け,その側面に、窒化珪素膜を形成して、この被膜を覆って,ゲイト電極を設けた構造を有するMNOSもしくはMONOS型半導体装置。特に、このような半導体装置を多数形成して、各半導体装置のその凸状の部分の頂部は、不純物領域として,ここにコンタクトを形成して、ゲイト配線と直行する配線を設けた不揮発性のMOSメモリー装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられ、その頂上部に高濃度に不純物の添加された凸状の部分と、その側面に沿って形成された半導体被膜もしくは窒化珪素被膜と、前記半導体被膜もしくは窒化珪素被膜の一部もしくは全部を覆って形成されたゲイト電極とを有することを特徴とするMOS型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-309680
  
• 特開昭62-269363
  
• 特開昭61-256673