光結合半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-219401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074387
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】絶縁耐圧に優れかつ、高感度の光結合半導体装置を提供する点。【構成】特殊な形状即ちほぼ楕円形の光結合材により光結合素子を被覆することにより、その形状を再現性良く十分な厚さを確保の上で、反射材によりこれを覆う方式を採って絶縁耐圧に優れかつ、高感度の光結合半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁基板表面に列状に形成する複数の導電性パタ-ンと,このある導電性パタ-ンに互いに絶縁して配置する光結合素子と,この素子を覆う透光性光結合材と,この透光性光結合材を被覆する発光を反射する反射材と,この反射材の終端に位置する前記1導電性パタ-ン部分または他の導電性パタ-ン部分とを具備することを特徴とする光結合半導体装置

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