特許
J-GLOBAL ID：200903050131297940
導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 阿部 豊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-183292
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031022
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】ダイヤモンドが持つ電気化学的な耐久性を維持しつつ、良好な導電性が得られる導電性ダイヤモンドを提供する。【解決手段】CH4(メタン)をH2で希釈した第1原料ガス、B(OCH3)3(硼酸トリメチル)をアルゴンガスでバブリングした第2原料ガス及び窒素をH2で希釈した第三原料ガスを、流量制御装置を介してチャンバに導入する。熱フィラメントCVD法により、基板上に、硼素原子及び窒素原子を共に10,000ppm以上の濃度で含有し、かつ硼素原子の濃度が窒素原子の濃度よりも10,000ppm以上高いダイヤモンド膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
硼素原子及び窒素原子を共に10,000ppm以上の濃度で含有し、かつ前記硼素原子の濃度が前記窒素原子の濃度よりも10,000ppm以上高い
ことを特徴とする導電性ダイヤモンド。
IPC (4件)：
H01B1/04
, C23C16/27
, C30B29/04
, H01B13/00
H01B1/04
, C23C16/27
, C30B29/04 G
, H01B13/00 Z
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077DB21
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077HA20
, 4G077TA04
, 4G077TB02
, 4G077TK01
, 4K030AA09
, 4K030AA17
, 4K030AA20
, 4K030BA28
, 4K030CA04
, 4K030FA17
, 4K030JA06
, 5G301BA10
出願人引用 (1件)
-
磁気記録媒体
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-141501
出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (1件)
-
磁気記録媒体
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-141501
出願人：株式会社日立製作所
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