特許

J-GLOBAL ID：200903050132352952

炭化硅素薄膜の形成方法

発明者： 笹岡 千秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015112
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208395
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法による炭化硅素(SiC)薄膜の形成方法では、低温度での形成が可能であるが、ガス流量やプラズマ分布を高精度に制御する必要があり、薄膜の形成が困難になる。【解決手段】 分子内に炭素と炭素の二重結合を少なくとも1つ有し、かつこの二重結合を形成する炭素原子に少なくとも1つのハロゲン原子が結合しているハロゲン化合物を炭素原料20とし、硅素と水素の結合を少なくとも1つ含む化合物を硅素原料19とし、前記炭素原料20と硅素原料19の混合気体をキャリアガス21とともに加熱された基板13上に供給して前記基板上に炭化硅素膜を化学気相成長法により堆積させる。低い基板温度でSiCの堆積が可能となり、かつ硅素原子2個に対して炭素原子が2個反応するため、組成比を自動的に制御でき、薄膜形成が簡単なものになる。

請求項（抜粋）：

分子内に炭素と炭素の二重結合を少なくとも1つ有し、かつこの二重結合を形成する炭素原子に少なくとも1つのハロゲン原子が結合しているハロゲン化合物を炭素原料とし、硅素と水素の結合を少なくとも1つ含む化合物を硅素原料とし、前記炭素原料と硅素原料の混合気体をキャリアガスとともに加熱された基板上に供給して前記基板上に炭化硅素膜を化学気相成長法により堆積させることを特徴とする炭化硅素薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

C30B 29/36 ,  C23C 16/32 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  C01B 31/36 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

C30B 29/36 A ,  C23C 16/32 ,  C30B 25/02 Z ,  H01L 21/205 ,  C01B 31/36 A ,  H01L 33/00 A