特許

J-GLOBAL ID：200903050137628891

シングル・インライン・メモリ・モジュール

発明者： アンドレアス・ベクトルスハイム ,  エドワード・フランク ,  ジェイムズ・テスタ ,  シャウン・ストーム
出願人/特許権者： サン・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-139238
公開番号（公開出願番号）：特開平6-348588
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 DRAMのメモリ拡張のためのフル幅SIMMを得る。【構成】 多数のDRAM素子が装着されているプリント回路板が、144ビットの幅のデータ経路に配置される。SIMMは記憶素子に近接して信号をバッファおよびドライブするためにオンボード・ドライバを含む。また、分布されている記憶素子に対する信号のスキューをできるだけ少なくし、ローディングおよび導電性トレース容量を減少するように、導電性トレースが回路板の上で経路指定される。SIMMは、機能性を高めるために、回路板の両側から導電性トレースを受ける高ピン密度デュアル読出しコネクタ構造も含む。フル幅増分でメモリを拡張するために、1度に1つのSIMMを相補ソケットにインストールされる。最後にコネクタ構造への対称的な電源および接地の経路指定により、コネクタのスロット内部でSIMMを物理的に逆にしてもSIMMへ供給される電力の極性が逆にされないようにされる。

請求項（抜粋）：

第1の面および第2の面を有し、回路素子へ結合するためのコネクタを含むプリント回路カードと、前記第1の面および前記第2の面に配置され、第1の構成、第2の構成および第3の構成で構成される複数の記憶装置と、を備え、前記第1の構成は、2つの記憶素子を前記第1の面と前記第2の面に背中合わせに配置して、相互に電気的に結合した構造で、前記第2の構成は、少なくとも2つの前記第1の構成の記憶素子をそれぞれの面で互いに横に並べられた配置で相互に結合した構造で、前記第3の構成は、2つの前記第2の構成を少なくとも2つ一緒に結合した構造とし、前記コネクタに接続されたデータ経路を形成するシングル・インライン・メモリ・モジュール。

IPC (2件)：

G06F 12/06 510 ,  G06F 12/16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-258466
  
• 特開昭63-197083
  
• 特開平3-262055
  
• 特開平3-248896