特許

J-GLOBAL ID：200903050139702576

圧電素子及びその製造方法

発明者： 内田 真治 ,  深沢 直人
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146844
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331087
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】小型化しても十分な屈曲変位を得ることができる、耐久性と信頼性の高い圧電素子を提供する。【解決手段】ジルコニアからなる基板21上に下部電極22が形成され、その電極を覆って、下部電極22より大きい面積で、PZTからなる圧電体23が形成され、圧電体23の外周部の、圧電体23と基板21とが直接接触している部分に反応層25が形成されている。この反応層25が基板21と圧電体23の接合強度を高めている。このような反応層を、下部電極に設けた微小な貫通孔部に形成することも有効である。また、接合強度が最も弱い、基板と下部電極との間に反応層を形成させて接合強度を高めることも有効である。この場合、反応層を形成するための薄膜を使う方法や基板内に反応物質を混入する方法が有効である。

請求項（抜粋）：

基板と下部電極と圧電体と上部電極とが積層一体化されている圧電素子において、基板と圧電体がその一部で接触し、その間に反応層が備えられていることを特徴とする圧電素子。

IPC (4件)：

H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H02N 2/00

FI (4件)：

H01L 41/22 Z ,  H02N 2/00 C ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 D