特許

J-GLOBAL ID：200903050142858455

化学増幅系レジストとレジストパターンの形成方法

発明者： 並木 崇久 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  福田 麻奈美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017984
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216233
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅系レジストに関し、解像性に優れたレジストパターンを形成することを目的とする。【構成】 基材樹脂,架橋剤,酸発生剤,溶解抑止剤など溶媒を除いてレジストを構成する総ての成分を110 °C以下では相転移を生じない材料から形成し、被処理基板上に化学増幅系レジストを被覆し、選択露光した後に行なうベーキングを100 °C以上で且つ溶媒を除くレジスト構成成分の相転移温度以下の温度で行なうことを特徴としてレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

基材樹脂,架橋剤,酸発生剤,溶解抑止剤など溶媒を除いてレジストを構成する総ての成分が110 °C以下では相転移を生じない材料から形成されていることを特徴とする化学増幅系レジスト。

IPC (6件)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特表平4-507075