特許

J-GLOBAL ID：200903050152266530

半導体レーザ素子

発明者： 松村 拓明
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126561
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324947
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 良好なFFPが得られる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基板側から少なくともn型ガイド層を含むn型半導体層と、活性層と、p型ガイド層を含むp型半導体層とを有し、p型半導体層のリッジ上にp電極が形成されてなる半導体レーザ素子において、該半導体レーザ素子は少なくとも出射端面と前記p電極の端部間に凹部を有し、該凹部はリッジ部に接するか、又は、近接している。

請求項（抜粋）：

基板側から少なくともn型ガイド層を含むn型半導体層と、活性層と、p型ガイド層を含むp型半導体層とを有し、p型半導体層のリッジ上にp電極が形成されてなる半導体レーザ素子において、該半導体レーザ素子は少なくとも出射端面と前記p電極の端部間に凹部を有し、該凹部はリッジ部に接するか、又は、近接していることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205

Fターム (34件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045HA16 ,  5F073AA04 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073EA19 ,  5F073EA20 ,  5F073EA27

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-204600   出願人：富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社