半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074843
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299990
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】小型かつ簡素な構成の過電圧保護回路を付加することにより、過電圧サ-ジによる電力用半導体素子の破壊事故を防止する。【構成】ゲ-ト駆動あるいはベ-ス駆動される電力用半導体素子1(例えばMOSFET)を含む半導体装置において、MOSFET1のドレインにカソ-ド側が接続されて過電圧サ-ジVS を検出するアバランシェ型ダイオ-ド11と、その検出過電圧信号をゲ-トに受けてタ-ンオンし,駆動用電源5から電流制限抵抗13を介して供給される駆動電力をMOSFET1のゲ-トに向けて出力するサイリスタ12とからなる過電圧保護回路10を備えてなるものとする。

請求項（抜粋）：

ゲ-ト駆動あるいはベ-ス駆動される電力用半導体素子を含む半導体装置において、前記電力用半導体素子のドレインあるいはコレクタにカソ-ド側が接続されて過電圧サ-ジを検出するアバランシェ型ダイオ-ドと、その検出過電圧信号をゲ-トに受けてタ-ンオンし,駆動用電源から電流制限抵抗を介して供給される駆動電力を前記電力用半導体素子のゲ-トあるいはベ-スに向けて出力するサイリスタとからなる過電圧保護回路を備えてなることを特徴とする半導体装置。

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