特許

J-GLOBAL ID：200903050163615161

レジスト除去方法

発明者： 竹内 幸一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273626
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102369
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 少ない薬液で残渣を残すことなく、一部が酸化シリコン化したレジストを基板上から確実に除去できる方法を提供する。【解決手段】 表面に酸化シリコン層109を有するレジストパターン110を除去する場合、先ず、アッング処理によって基板101上から大部分のレジストパターン110を除去する。その後、スピン洗浄装置を用いて希フッ酸処理とオゾン水処理とを交互に繰り返す洗浄処理を行い、酸化シリコンやその他のレジスト成分からなるレジスト残渣110aを除去し、残渣を残すことなく基板101上から完全にレジストパターン110を除去する。

請求項（抜粋）：

一部が酸化シリコン化したレジストを、基板上から除去する方法であって、前記レジストのアッング処理を行った後、前記基板の表面に対して希フッ酸処理とオゾン水処理とを交互に繰り返す洗浄処理を行うことを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (5件)：

H01L 21/308 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 641

FI (5件)：

H01L 21/308 E ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/30 572 ,  H01L 21/302 H

Fターム (43件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  2H096LA06 ,  2H096LA30 ,  5F004AA04 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB17 ,  5F004DB26 ,  5F004EA04 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F004EB02 ,  5F043BB25 ,  5F043BB27 ,  5F043CC12 ,  5F043CC14 ,  5F043CC16 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F046MA02 ,  5F046MA10 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17 ,  5F046NA01 ,  5F046NA14 ,  5F046NA18 ,  5F046NA19