特許

J-GLOBAL ID：200903050165051362

プラズマCVD装置

発明者： 大澤 俊彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100804
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】アルミニウムあるいはアルミニウム合金配線パターン上に層間絶縁膜を形成するときに、配線パターン間のスペースが狭くなってくると、膜の付きまわりが悪化しボイドが発生した。【解決手段】プラズマCVD装置に半導体基板に振動を与える振動発生器を設置し、基板に振動を与えながら膜を形成することができるようにした。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜を形成するためのプラズマCVD装置であって、反応管下部と、膜形成時には、前記反応管下部と共に反応室を構成する反応管上部と、前記反応管下部に固定されているシリンダーと、半導体被処理基板を保持し、前記シリンダーに接続され、前記シリンダーによって上下動が可能なサセプターと、前記反応管上部に固定され、前記サセプターと対向するように設置され、反応ガスを前記被処理基板上に導くためのシャワーヘッドと、前記シリンダーに振動を与える振動発生装置と、を有するプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/505

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/44 G ,  C23C 16/50 B

Fターム (24件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030GA04 ,  4K030GA05 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  4K030KA49 ,  4K030LA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045BB19 ,  5F045CB05 ,  5F045DP28 ,  5F045EB02 ,  5F045EM01 ,  5F045EM10