特許

J-GLOBAL ID：200903050166419843

レジストパターンの表面欠陥減少方法及びそれに用いる表面欠陥減少用処理液

発明者： 前盛 諭 ,  新田 和行 ,  中緒 卓
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028328
公開番号（公開出願番号）：特開2001-215734
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 従来のレジスト材料や処理工程を利用し、簡単な処理を付加するだけでディフェクト、すなわちレジストパターンの表面欠陥を減少しうる方法を提供する。【解決手段】 表面に化学増幅型ポジ型レジスト膜をもつ基板に、マスクパターンを介して選択的に露光させ、露光後加熱処理を行ったのち、アルカリ現像処理してレジストパターンを形成する方法において、露光後加熱処理したポジ型レジスト膜を酸処理する。

請求項（抜粋）：

表面に化学増幅型ポジ型レジスト膜をもつ基板に、マスクパターンを介して選択的に露光させ、露光後加熱処理を行ったのち、アルカリ現像処理してレジストパターンを形成する方法において、露光後加熱処理したポジ型レジスト膜を酸処理することを特徴とするレジストパターン表面欠陥減少方法。

IPC (2件)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

Fターム (10件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096FA05 ,  2H096GA08 ,  2H096JA03 ,  5F046CA04 ,  5F046LA18