シリコン単結晶の育成方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043527
公開番号（公開出願番号）：特開2002-249396
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】結晶面内に現れる酸化誘起積層欠陥の潜在領域の外径が結晶直径の70%〜0%の範囲に制御された酸化膜耐圧特性に優れるシリコン単結晶を高生産で製造する。特に0.1μmサイズ以上のCOPが存在せず、転位クラスタも含まない結晶領域から成るシリコン単結晶を高生産で製造する。【解決手段】チャンバ8の周囲には、坩堝1を介して上方および下方に相対向するように磁場印加用のコイル6が一対に設けられ、一対の上部コイル6aおよび下部コイル6bには互いに逆向きに回る電流を流すことによって、坩堝1内の溶融液4にカスプ磁場が形成される。また、チャンバ8の外部に設けた電源装置13により、引き上げ昇降軸7と坩堝昇降軸11との間に電圧を印加して、石英坩堝1a内のシリコン溶融液4に電流が通電される。

請求項（抜粋）：

CZ法によりシリコン単結晶を育成する方法において、坩堝内のシリコン溶融液に磁界を印加し、かつ引き上げ昇降軸と坩堝昇降軸との間に電圧を印加してシリコン溶融液内に前記磁界と直交する成分を含む電流を流すことにより、坩堝内のシリコン溶融液を撹拌させることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , C30B 15/20

FI (3件)：

C30B 29/06 502 G , C30B 15/00 Z , C30B 15/20

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077CF10 , 4G077EH06 , 4G077EJ01 , 4G077EJ02 , 4G077PA08 , 4G077PF51 , 4G077RA01 , 4G077RA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特許第2959543号
特開平1-141895
特開昭53-142385

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