特許

J-GLOBAL ID：200903050176126550

半導体製造装置

発明者： 保坂 英二 ,  佐藤 崇之 ,  池田 和人 ,  開発 秀樹 ,  吉田 久志 ,  狩野 利一
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-328383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183230
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 カセットのバッファ棚へのアクセス時間が無くなり、ウェーハキャリア搬送時間を短くすることができ、装置の稼動効率がよくなると共に、ウェーハの品質及び歩留りを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。【構成】 ウェーハの加熱処理を行うバッチ式の半導体製造装置において、十字形状で且つ突出した4つのウイングに上下方向に複数段となるカセット収容部分16を有し、かつその中心に回転機構15を設けて回転可能であるバッファ棚12を有することを特徴とする。また、上記バッファ棚12を気密室21で囲い、該気密室21中を不活性ガス置換する。

請求項（抜粋）：

ウェーハの加熱処理を行うバッチ式の半導体製造装置において、十字形状で且つ突出した4つのウイングに上下方向に複数段となるカセット収容部分(16)を有し、かつその中心に回転機構(15)を設けて回転可能であるバッファ棚(12)を有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  B65G 1/00 539 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/68