特許

J-GLOBAL ID：200903050178336161

無鉛半田

発明者： 劉 忠 植 ,  金 美 延 ,  李 道 宰
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339644
公開番号（公開出願番号）：特開平9-019791
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、Sn-Ag-Bi系無鉛半田の組成を適切に制御することによって、既存のSn-40Pb半田よりも機械的強度が増加し、特に、一般電子部品の電子機器配線用として好適なSn-Ag-Bi系無鉛半田を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、重量%で、Ag:3.1〜7%,Bi:6〜30%および残部Snからなる組成を有する無鉛半田であり、また、Ag,BiおよびSnを含み、固相線温度が138〜200°Cであり、液相線温度が144〜220°Cである無鉛半田であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

重量%で、Ag:3.1〜7%,Bi:6〜30%および残部Snからなる組成を有する無鉛半田。

IPC (3件)：

B23K 35/26 310 ,  C22C 13/02 ,  B23K101:36

FI (2件)：

B23K 35/26 310 A ,  C22C 13/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 無鉛はんだ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-269023   出願人：石川金属株式会社