窒化ガリウム系材料及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-169526
公開番号（公開出願番号）：特開2009-269816
出願日： 2009年07月17日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：

【課題】より高い熱伝導率を有するGaN系材料の製造方法を提供する。【解決手段】HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth)法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、H2ガスを含むキャリアガスG1と、GaClガスG2と、NH3ガスG3とを反応室10に供給し、成長温度を900(°C)以上かつ1200(°C)以下とし、成長圧力を8.08×104(Pa)以上かつ1.21×105(Pa)以下とし、GaClガスG2の分圧を1.0×102(Pa)以上かつ1.0×104(Pa)以下とし、NH3ガスG3の分圧を9.1×102(Pa)以上かつ2.0×104(Pa)以下として実施する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

25(°C)における熱伝導率が2.8×102(W/m・K)以上であることを特徴とする窒化ガリウム系材料。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 25/16 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B25/16 , C23C16/34 , H01L21/205

Fターム (48件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB03 , 4G077AB08 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EB06 , 4G077HA14 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB03 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TJ03 , 4G077TJ04 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030DA03 , 4K030DA08 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA04 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045GB11

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