特許
J-GLOBAL ID：200903050184359408
非可逆回路素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341374
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102704
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 動作磁界を高くしてフェライトの磁性体損失を抑制し、かつ3本の中心導体の交差角度をその直流バイアス磁界による高周波磁界の回転角と対応させることによりインサーション・ロスを低減でき、所望の電気的特性を確保できる非可逆回路素子を提供する。【解決手段】 3本の中心導体2〜4を電気的絶縁状態でかつ所定角度をなすよう交差させて配置し、該交差部分に直流バイアス磁界を印加するようにした非可逆回路素子を構成する場合に、各中心導体2〜4の交差角度θ1〜θ3をそれぞれ110度,120度,130度に設定する。
請求項（抜粋）：
3本の中心導体を電気的絶縁状態でかつ所定角度をなすよう交差させて配置し、該交差部分に直流磁界を印加するようにした非可逆回路素子において、上記3本の中心導体の交差により形成される3組の交差角度のうち1組の交差角度を残り2組の交差角度と異なる値に設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
引用特許：
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