特許
J-GLOBAL ID：200903050197768587
薄膜装置および薄膜装置の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000347
公開番号（公開出願番号）：特開平6-200366
出願日： 1993年01月05日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：
【要約】【目的】 電極および薄膜をICB法(イオンクラスタビーム法)を利用して形成する場合に蒸発源としてのるつぼの数を減らすことができる薄膜装置を提供する。誘電体薄膜の誘電率の低下を招くことなく電極を形成できる薄膜装置の形成方法を提供する。【構成】 4はシリコンウェハからなる基板であり、41は基板4上に形成された白金よりなる下部電極、5はPZTの強誘電体薄膜、51はTi/TiN層で形成される上部電極である。薄膜5及び上部電極51は同一真空槽内でICB法でもって形成する。上部電極51の構成材料がTi及びTiNであり、TiはPZTの構成材料の1つであるので、電極51及び薄膜5をICB法を利用して形成する場合に蒸発源としてのるつぼを兼用し得る。薄膜5に続いて電極51を同一真空槽内で形成でき、薄膜5の表面が大気に触れることによる酸化を防止でき、誘電率の低下を防止し得る。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された下部電極と、この下部電極上に形成された誘電体等の薄膜と、この薄膜上に形成され、該薄膜と同一の構成材料から成る上部電極とを備えたことを特徴とする薄膜装置。
IPC (5件)：
C23C 14/32
, H01L 21/31
, H01L 27/04
, H01L 27/108
, H01L 21/203
