特許

J-GLOBAL ID：200903050199658983

ダイヤモンド結晶およびその製造方法

発明者： 石倉 威文 ,  山下 敏 ,  男鹿 伸一 ,  川原田 洋
出願人/特許権者： 東京瓦斯株式会社 ,  東京ガスケミカル株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-084696
公開番号（公開出願番号）：特開平7-309696
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】基板と平行な配向面が極めて小さくて尖ったダイヤモンド結晶およびそのようなダイヤモンド結晶の製造方法を提供する。【構成】化学的気相成長法により基板上に合成されるダイヤモンド結晶の(111)配向面が基板面と平行でかつ該基板面と平行な(111)配向面の面積が結晶の該基板上の面積の1/24以下である。また炭素と結合しない材質からなる基板上で、少なくとも炭素と水素とを含みかつ原料ガスの全分子数に対する炭素原子数の割合が0.5%以下である原料ガスを活性化し、基板上に、(111)配向面が基板面と平行でかつ基板面と平行な(111)配向面の面積が結晶の基板上の面積の1/24以下であるダイヤモンド結晶を析出させる。基板に銅板を用い、原料ガスは少なくともメタンガスと水素ガスとを含み、メタンガスの濃度を0.5%以下とするのが好ましい。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法により基板上に合成されるダイヤモンド結晶であって、(111)配向面が基板面と平行でかつ該基板面と平行な(111)配向面の面積が結晶の該基板上の面積の1/24以下であることを特徴とするダイヤモンド結晶。

IPC (5件)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/00 ,  C30B 25/18 ,  G01R 1/06 ,  G01N 37/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-060410
  
• 電子放出素子および電子放出素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-208044   出願人：出光マテリアル株式会社