特許

J-GLOBAL ID：200903050201557014

プラズマ処理装置

発明者： 豊田 一行 ,  佐藤 崇之
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351066
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168037
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】製作コストが低く、保守作業が容易で、而も基板の吸着力の低下がない基板載置台を具備したプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】静電チャックにより被処理基板21を吸着する基板載置台25を具備し、減圧状態でプラズマ22を生成し前記基板載置台上の被処理基板を処理するプラズマ処理装置に於いて、前記基板載置台が静電吸着用の電極27を有し、該電極の上側に前記被処理基板が載置されるサセプタ上板28を着脱可能に設け、該サセプタ上板の上面にセラミックス被膜31を形成し、前記サセプタ上板がプラズマ処理で劣化した場合には該サセプタ上板を新しいものに交換する。

請求項（抜粋）：

静電チャックにより被処理基板を吸着する基板載置台を具備し、減圧状態でプラズマを生成し前記基板載置台上の被処理基板を処理するプラズマ処理装置に於いて、前記基板載置台が静電吸着用の電極を有し、該電極の上側に前記被処理基板が載置される金属製のサセプタ上板を着脱可能に設け、該サセプタ上板の上面にセラミックス被膜を形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/68 R ,  H01L 21/302 B

Fターム (30件)：

4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA20 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA19 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK09 ,  5F045EM02 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09