特許

J-GLOBAL ID：200903050201829987

半導体素子分離方法

発明者： 池村 昭彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-280724
公開番号（公開出願番号）：特開2005-050997
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】本発明は、ウェハに形成された半導体素子を効率的に分離する半導体素子分離方法を提供する。【解決手段】回路形成後のスクライブ部にドライエッチにて所定の有溝のエッチングを行う。その後ウェハ表面に支持基板を貼り付け、ウェハ裏面を研削によって生じるクラックが有溝部に到達しない深さまで研削したのちに、ウェハ裏面をドライエッチにてエッチングすることでスクライブ部の有溝を裏面に連通させ、個々の半導体素子に分離し、ダイシングテープへ転写させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体回路を形成したウェハを個々の半導体素子に分離する半導体素子分離方法であって、半導体回路を形成したウェハのスクライブ部を、ドライエッチ法にて所定の深さまでエッチングしたのちに、ウェハの表面を支持基板に貼り付けた状態で前記ウェハの裏面をスクライブ部が露出しない厚みまで研削したのちに、ドライエッチ法にてスクライブ部が露出するまで、エッチングすることを特徴とする半導体素子分離方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (3件)：

H01L21/78 S ,  H01L21/78 A ,  H01L21/78 Q

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ペレットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-141237   出願人：株式会社東芝