近接型露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112660
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303109
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】半導体基板とマスクとの間の窒素ガス濃度を均一にするようにした、近接型露光装置を提供すること。【解決手段】半導体基板11が載置される半導体基板ステージ12と、半導体基板ステージ上にて、気密的に配設されるマスクステージ13と、上記マスクステージ上に支持される所定の光透過パターンを備えたマスク14と、上記マスクを介して半導体基板上に光を照射する光源15と、上記マスクステージと半導体ステージ間の気密空間内に窒素ガスを導入する窒素ガス導入手段と、上記マスクステージと半導体ステージ間の気密空間内に配設されたガス分散リング18とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板が載置される半導体基板ステージと、半導体基板ステージ上にて、気密的に配設されるマスクステージと、前記マスクステージ上に支持され、所定の光透過パターンを備えたマスクと、このマスクを介して半導体基板上に光を照射する光源と、前記マスクステージと半導体ステージ間の気密空間内に反応促進用ガスを導入するガス導入手段とを含んでおり、前記マスクステージと半導体ステージ間の気密空間内には、反応促進用ガス分散手段が備えられていることを特徴とする近接型露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 509 , G03F 7/20 521

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